圆下线首片晶中试线成功破国内首关键技术打个光子芯片

电子发烧友网归纳报导 近来音讯 ，关键国内光芯上海交大无锡光子芯片研究院（CHIPX）获得重大进展，技术晶圆其在国内首个光子芯片中试线成功下线首片6英寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，打破并同步完结了超低损耗、首个试线首片超高带宽的片中高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量产，该芯片的成功要害技能指标到达世界先进水平。

光子芯片要害技能打破。下线

光子芯片也被称为光子。关键国内光芯集成电路。技术晶圆（Photonic In。打破te 。首个试线首片grated Circuit ，片中PI。成功C），下线是关键国内光芯一种根据光子学原理的集成电路芯片 。它将光子器材集成在芯片上，完结。光电 。子集成 ，使用光波（电磁波）作为信息传输或数据运算的载体，一般依托于集成。光学。或硅基光电子学中介质光波导来传输导模光 。信号。 ，将光信号和电信号的调制 、传输
、解调等集成在同一块衬底或芯片上。

光子芯片作为新一代信息技能的中心，能满意
 。人工智能
。、。物联网。
、。云核算 。 、生物医药等范畴对传输 、核算、存储、显现的技能需求。

但是此前 ，我国光量子技能因共性要害工艺技能渠道的缺失 ，面对“实验室效果难以量产”的窘境，成为限制工业开展的“卡脖子”难题。上海交大无锡光子芯片研究院经过建造国内首条光子芯片中试线，成功霸占了这一难题。

上海交大无锡光子芯片研究院于2022年12月发动中试线建造，2024年9月正式启用集光子芯片研制 、规划、加工和使用于一体的光子芯片中试线。现在，首片晶圆成功下线，标志着中试渠道完结量产通线。

薄膜铌酸锂调制器芯片是一种以薄膜铌酸锂为要害资料，使用电光效应完结光信号调制的高性能芯片 ，具有超快电光效应 、高带宽、低功耗等明显优势，在
。5G。通讯。 、量子核算 、光通讯等范畴展现出巨大潜力 。

薄膜铌酸锂调制器芯片的。作业原理。是，根据电光效应作业，即某些晶体在外加电场效果下，其折射率会发生变化，当光波经过此介质时，其传输特性就会受到影响而改动。经过施加电压来改动光信号的“相位”或强度
，完结光信号的调制。例如，常见的薄膜铌酸锂电光调制器有相位调制器，其根本结构由两个波导 、两个功分结构，以及。射频 。电极和直流电极构成。

但是，因为薄膜铌酸锂资料脆性大，大标准薄膜铌酸锂晶圆的制备一向存在应战。上海交大无锡光子芯片研究院引进了110余台世界尖端CMOS工艺设备
，构建了掩盖薄膜铌酸锂晶圆从光刻、薄膜堆积
、刻蚀、湿法 、切开
、量测到封装的全闭环工艺链。

经过立异性开发芯片规划
、工艺计划与设备体系的协同适配技能，成功打通了从光刻图形化 、精细刻蚀 、薄膜堆积到 。封装测验 。的全制程工艺，完结晶圆级光子芯片集成工艺的重大打破。在6英寸铌酸锂晶圆上完结了110nm 。高精度
。波导刻蚀，经过步进式（i-line）光刻完结了高均一性、纳米级波导与杂乱高性能电极结构的跨标准集成，到达顶尖制程水平 。

该芯片调制带宽打破110GHz，打破世界高速光互连带宽瓶颈；插入损耗 。<3.5dB，波导损耗<0.2dB/cm，显著提升光传输效率；调制效率<1.9 V·cm，电光转换效率大幅优化  。

量产才能和远景 
。

上海交大无锡光子芯片研究院中试渠道具有年产12000片薄膜铌酸锂晶圆的量产才能，将为工业合作伙伴供给“低成本”、“快速迭代” 、“规模化量产”的解决计划 。

别的，研究院将发布工艺规划包（PDK），将薄膜铌酸锂晶圆制备的中心工艺参数与器材模型全面归入、敞开同享 ，助力工业链企业快速完结从概念规划到流片验证再到量产的全流程闭环
，明显缩短研制周期。

中试渠道不只服务于光子芯片工业，还将与区域开展“双向奔赴”，加快 。科技。效果转化落地，推进我国光子芯片中心器材从技能研制向工业化使用的实质性跨过 
。一起，研究院将环绕芯、光、智 、算等进行科技效果转化及孵投一体的创业孵化 ，为光子核算、量子信息、6G通讯、激光雷达等工业供给中心保证。